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STGWA50M65DF2的图片

STGWA50M65DF2

ST图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：ST(意法半导体)
功能简述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
原厂封装：TO-247-3
优势价格，STGWA50M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGWA50M65DF2的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STGWA50M65DF2
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：M
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：80A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：150A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，50A
  • 功率-最大值：375W
  • 开关能量：880J（开），1.57mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：150nC
  • 25°C时Td（开/关）值：42ns/130ns
  • 测试条件：400V，50A，6.8 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：162ns
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
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