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    STGWA60NC60WDR的图片

    STGWA60NC60WDR

    ST图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：ST(意法半导体)
    功能简述：IGBT 600V 130A 340W TO247
    原厂封装：TO-247-3
    优势价格，STGWA60NC60WDR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    STGWA60NC60WDR的技术资料下载
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    STGWA60NC60WDR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STGWA60NC60WDR
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IGBT 600V 130A 340W TO247
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：PowerMESH?
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：130A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：250A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，40A
  • 功率-最大值：340W
  • 开关能量：743μJ（开），560μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：195nC
  • 25°C时Td（开/关）值：40ns/240ns
  • 测试条件：390V，40A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：42ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
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