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STGWA80H65DFB
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STGWA80H65DFB价格
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STGWA80H65DFB技术资料
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STGWA80H65DFB
IGBT - 单路
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，STGWA80H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGWA80H65DFB的技术资料下载
STGWA80H65DFB的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号: STGWA80H65DFB
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
系列: -
IGBT 类型: 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 240A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2V @ 15V，80A
功率 - 最大值: 469W
开关能量: 2.1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 414nC
25°C 时 Td（开/关）值: 84ns/280ns
测试条件: 400V，80A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）: 85ns
ST公司封装: TO-247-3
安装类型: 通孔
ST出厂封装: TO-247 长引线
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