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STGWF40V60DF的图片

STGWF40V60DF

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：ST(意法半导体)

功能简述：IGBT BIPO 600V 40A TO3P

原厂封装：TO-3PFM，SC-93-3

优势价格，STGWF40V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STGWF40V60DF的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

制造商产品型号：STGWF40V60DF

制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）

描述：IGBT BIPO 600V 40A TO3P

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：有源

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：40A

电流-集电极脉冲(Icm)：-

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：-

功率-最大值：-

开关能量：456μJ（开），411μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：-

25°C时Td（开/关）值：-

测试条件：-

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-3PFM，SC-93-3

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