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STGWT40H60DLFB的图片

STGWT40H60DLFB

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：ST(意法半导体)

功能简述：IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L

原厂封装：TO-3P-3，SC-65-3

优势价格，STGWT40H60DLFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STGWT40H60DLFB的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

制造商产品型号：STGWT40H60DLFB

制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）

描述：IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：80A

电流-集电极脉冲(Icm)：160A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A

功率-最大值：283W

开关能量：363μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：210nC

25°C时Td（开/关）值：-/142ns

测试条件：400V，40A，10 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-3P-3，SC-65-3

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