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STGWT40H65DFB的图片

STGWT40H65DFB

ST图标
单路IGBT
制造厂商:意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
原厂封装:TO-3P
优势价格,STGWT40H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGWT40H65DFB的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
  • ST意法半导体标准完整型号:STGWT40H65DFB
  • 制造厂家名称:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
  • 系列:-
  • IGBT 类型:沟道和场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):650V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):160A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值:283W
  • Switching Energy:498μJ (开), 363μJ (关)
  • 输入类型:标准
  • Gate Charge:210nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/142ns
  • Test Condition:400V, 40A, 5 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr):62ns
  • ST公司封装:TO-3P-3,SC-65-3
  • 安装类型:通孔
  • ST出厂封装:TO-3P
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