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    STGWT80H65DFB的图片

    STGWT80H65DFB

    ST图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：ST(意法半导体)
    功能简述：IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
    原厂封装：TO-3P-3，SC-65-3
    优势价格，STGWT80H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    STGWT80H65DFB的技术资料下载
    电话询问价格
    STGWT80H65DFB的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STGWT80H65DFB
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：120A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：240A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A
  • 功率-最大值：469W
  • 开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：414nC
  • 25°C时Td（开/关）值：84ns/280ns
  • 测试条件：400V，80A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：85ns
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-3P-3，SC-65-3
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