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STGWT80H65FB
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STGWT80H65FB技术资料
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STGWT80H65FB
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
ST(意法半导体)
功能简述：
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
原厂封装：
TO-3P-3，SC-65-3
优势价格，STGWT80H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGWT80H65FB的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号：STGWT80H65FB
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：有源
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：120A
电流-集电极脉冲(Icm)：240A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A
功率-最大值：469W
开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：414nC
25°C时Td（开/关）值：84ns/280ns
测试条件：400V，80A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-3P-3，SC-65-3
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