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STGYA120M65DF2的图片

STGYA120M65DF2

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：ST(意法半导体)

功能简述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

原厂封装：TO-247-3

优势价格，STGYA120M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STGYA120M65DF2的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

制造商产品型号：STGYA120M65DF2

制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）

描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：M

零件状态：有源

IGBT类型：NPT，沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极(Ic)（最大值）：160A

电流-集电极脉冲(Icm)：360A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，120A

功率-最大值：625W

开关能量：1.8mJ（开），4.41mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：420nC

25°C时Td（开/关）值：66ns/185ns

测试条件：400V，120A，4.7 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：202ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

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