STGYA120M65DF2AG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号：STGYA120M65DF2AG制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）描述：IGBT系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：M零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：160A电流-集电极脉冲(Icm)：360A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，120A功率-最大值：625W开关能量：1.8mJ（开），4.41mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：420nC25°C时Td（开/关）值：66ns/185ns测试条件：400V，120A，4.7 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：202ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3想获取STGYA120M65DF2AG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
