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STH185N10F3-2

ST图标
FET - 单
制造厂商:意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
原厂封装:TO-263-3,D2Pak
优势价格,STH185N10F3-2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STH185N10F3-2的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
  • ST意法半导体标准完整型号: STH185N10F3-2
  • 制造厂家名称: STMicroelectronics
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
  • 系列: STripFET F3
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 180A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 4.5 毫欧 @ 60A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 114.6nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 6665pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 315W
  • 安装类型: 表面贴装
  • ST公司封装: TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型
  • ST出厂封装: H2PAK
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