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STH272N6F7-6AG
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STH272N6F7-6AG价格
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STH272N6F7-6AG技术资料
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STH272N6F7-6AG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
原厂封装:
H2PAK-6
优势价格,STH272N6F7-6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STH272N6F7-6AG的技术资料下载
STH272N6F7-6AG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STH272N6F7-6AG
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET F7
零件状态:不用於新
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C时电流-连续漏极(Id):180A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.5 毫欧 @ 90A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):170nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):11000pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):333W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:H2PAK-6
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