ST代理商渠道，ST芯片一站式采购平台

ST意法半导体芯片的即时报价、快速出货、无最低起订量

| STH315N10F7-6 | STH315N10F7-6价格 | STH315N10F7-6技术资料 |

STH315N10F7-6的图片

STH315N10F7-6

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：ST(意法半导体)

功能简述：MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

原厂封装：H2PAK-6

优势价格，STH315N10F7-6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

STH315N10F7-6的技术资料下载

电话询问价格

STH315N10F7-6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

制造商产品型号：STH315N10F7-6

制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）

描述：MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：Automotive, AEC-Q101, DeepGATE?, STripFET? VII

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C时电流-连续漏极(Id)：180A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.3 毫欧 @ 60A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：180nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：12800pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：315W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：H2PAK-6

想获取STH315N10F7-6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

了解更多ST芯片的报价及技术资料

晶

STH315N10F7-2

晶

STH310N10F7-2

接口 - 驱动器，接收器，收发器

ST3232EBN

线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓

TSV524AIPT

STM32F030R8T6TR

嵌入式 - 微控制器

STM32F030R8T6TR

控制器接口芯片

ISP1520BDUM

ST芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格

ST公司（意法半导体）授权的国内ST一级代理一手货源，大小批量出货

www.st-semi.com