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STI21NM60ND的图片

STI21NM60ND

ST图标
单端场效应管
制造厂商:意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
原厂封装:I2PAK
优势价格,STI21NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STI21NM60ND的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
  • ST意法半导体标准完整型号:STI21NM60ND
  • 制造厂家名称:STMicroelectronics
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
  • 系列:FDmesh? II
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):17A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):220 毫欧 @ 8.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1800pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:140W
  • 安装类型:通孔
  • ST公司封装:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
  • ST出厂封装:I2PAK
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