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STL33N60M6

ST图标
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:MOSFET 600V 21A POWERFLAT HV
原厂封装:PowerFlat?(8x8)HV
优势价格,STL33N60M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STL33N60M6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号:STL33N60M6
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:MOSFET 600V 21A POWERFLAT HV
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:MDmesh? M6
  • 零件状态:有源
  • FET类型:-
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):21A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):137毫欧 @ 10.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):33.4nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1515pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):150W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:PowerFlat?(8x8)HV
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