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STL6N3LLH6的图片

STL6N3LLH6

ST图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：ST(意法半导体)
功能简述：MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
原厂封装：PowerFlat（2x2）
优势价格，STL6N3LLH6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STL6N3LLH6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STL6N3LLH6
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：DeepGATE, STripFET VI
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 3A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A（最小）
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：3.6nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：283pF @ 24V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.4W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PowerFlat（2x2）
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