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    STP10NM60ND的图片

    STP10NM60ND

    ST图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：ST(意法半导体)
    功能简述：MOSFET N-CH 600V 8A TO220
    原厂封装：TO-220
    优势价格，STP10NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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    STP10NM60ND的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STP10NM60ND
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 8A TO220
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：FDmesh? II
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：600 毫欧 @ 4A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：577pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220
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