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STP11NM65N的图片

STP11NM65N

ST图标
单端场效应管
制造厂商：ST(意法半导体)
功能简述：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
原厂封装：TO-220
优势价格，STP11NM65N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STP11NM65N的技术资料下载
电话询问价格
STP11NM65N的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • ST意法半导体公司完整型号：STP11NM65N
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  • 系列：MDmesh II
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：650V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：455 毫欧 @ 5.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 50V
  • 功率 - 最大值：110W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商器件封装：TO-220
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