STP13NK60Z

STP13NK60Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于通过增强的横向电场管理，有效降低了单位面积下的导通损耗，同时保持了稳健的雪崩耐量和开关特性，为高压开关应用提供了一个可靠且高效的半导体解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换、电机驱动等场合中常见的电压应力和浪涌。在导通性能方面，器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的通态损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，简化栅极驱动电路设计，并提升开关频率潜力。此外，器件支持高达±30V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全余量。

在接口与参数层面，STP13NK60Z采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以实现高达150W（Tc）的功率耗散能力。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为13A，结合宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C），确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障产品正宗性和获得完整服务的重要途径。

凭借其性能组合，该器件非常适合应用于对效率和可靠性有较高要求的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、照明镇流器、工业电机驱动与控制器、UPS（不间断电源）系统以及电焊机等功率转换设备。在这些场景中，它能够有效承担高压侧或低压侧的主开关角色，是实现紧凑、高效能功率系统的关键组件之一。

• 型号:STP13NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP13NK60Z的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP13NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）额定值与优化的低导通电阻特性，这使其在导通期间能够显著降低功率损耗。

器件在10V栅极驱动下具备优异的开关性能，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过平衡，有助于实现高效的开关操作并简化驱动电路设计。采用TO-220AB封装，支持通孔安装，并具备13A的连续漏极电流（Id）承载能力和150W的功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各类工业与消费类功率电子系统中的鲁棒性和长期可靠性。