STF16N50U

STF16N50U是ST意法半导体基于其成熟的UltraFASTmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。其核心架构旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在500V的漏源电压（Vdss）下具备稳定的阻断能力，同时将导通损耗降至最低。

该MOSFET的显著特性在于其优异的动态性能与稳健性。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为520毫欧（@5A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在40nC（@10V），结合1950pF的输入电容（Ciss），意味着器件具备快速的开关速度，有助于减少开关损耗，尤其适用于高频开关应用。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗干扰能力，而最高150°C的结温（TJ）和30W（Tc）的功率耗散能力则确保了其在严苛环境下的可靠运行。

在电气参数方面，STF16N50U标称连续漏极电流（Id）为15A（基于壳温Tc），阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，属于标准逻辑电平驱动器件，便于与常见的控制器接口。该器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，具有良好的机械强度和散热性能，方便集成到需要强制风冷或散热器的功率板上。对于需要获取官方技术支持和样品渠道的开发者，可以联系ST中国代理以获取更详细的产品资料和供应链信息。

凭借500V的高耐压和15A的电流处理能力，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及高频DC-DC变换器等场景。其快速开关特性使其在谐振拓扑或硬开关拓扑中都能有效提升效率，而稳健的设计则满足了工业控制、家用电器和照明系统等对长期可靠性要求较高的领域需求。

• 型号:STF16N50U
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 15A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF16N50U是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其UltraFASTmesh产品系列。该器件核心规格为500V漏源电压（Vdss）和15A连续漏极电流（Id），采用TO-220FP通孔封装，具备良好的功率处理能力。

其技术优势体现在优化的动态参数上：在10V驱动下，导通电阻（Rds(On)）低至520毫欧，有助于降低导通损耗；同时，最大40nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关响应，有利于提升开关电源等应用的工作频率和效率。器件支持±30V的宽栅极电压范围，并可在高达150°C的结温下工作，提供了稳健的操作窗口。