STI4N62K3

STI4N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构和沟槽设计，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的卓越平衡，从而在高压应用中显著降低了传导损耗和开关损耗。其核心架构旨在为高电压、中等电流的开关应用提供一个高效且可靠的解决方案，内部集成了快速恢复体二极管，有助于在感性负载条件下实现更安全的操作。

该MOSFET的突出特性在于其620V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为3.8A，结合仅2欧姆（在1.9A，10V条件下）的最大导通电阻（Rds(on)），确保了在导通期间具有较低的功率耗散。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。此外，22nC（在10V条件下）的低栅极电荷（Qg）和550pF（在50V条件下）的输入电容（Ciss）共同作用，使得开关速度更快，有助于提升系统整体频率和效率。

在电气参数方面，STI4N62K3的阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，具备良好的关断特性。其采用坚固的I2PAK（TO-262）通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，最大功率耗散能力达70W（壳温条件下）。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应苛刻的环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及其相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及家用电器和工业设备中的电机驱动与逆变器模块。在这些场景中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，并增强整体方案的可靠性。

• 型号:STI4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI4N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件设计用于高电压开关应用，其核心优势在于620V的漏源电压（Vdss）和3.8A的连续漏极电流（Id）能力，为系统提供了坚固的电气安全裕度。

其技术亮点包括低至2欧姆的导通电阻（Rds(on)）以及仅22nC的栅极电荷（Qg），这共同优化了传导损耗与开关损耗的平衡，有助于提升整体能效和开关频率。器件采用I2PAK通孔封装，支持高达70W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定性和可靠性。