STP13NM50N

STP13NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了优异的开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压(Vdss)和12A的连续漏极电流(Id)能力，展现出强大的功率处理潜能。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下，Rds(On)典型值仅为320毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，30nC的低栅极电荷(Qg)与960pF的输入电容(Ciss)特性，共同确保了快速的开关速度，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±25V，提供了良好的设计裕度和可靠性。

在接口与参数方面，该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器，其最大功率耗散能力可达100W（基于壳温）。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。稳定的性能表现使其成为构建高可靠性电源系统的理想选择。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过正规的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和获得完整供应链服务的重要途径。

凭借高耐压、低导通电阻和快速开关的综合特性，STP13NM50N非常适用于离线式开关电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)电路、DC-DC转换器、电机驱动控制器以及工业照明镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升能源利用效率，降低系统温升，并有助于实现更紧凑的电源设计方案。

• 型号:STP13NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP13NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心规格包括500V的漏源电压(Vdss)和12A的连续漏极电流(Id)，提供了稳健的功率处理能力。

其技术亮点在于优异的效率表现，在10V栅极驱动下导通电阻(Rds(On))低至320毫欧@6A，同时栅极电荷(Qg)仅为30nC。这种低导通损耗与快速开关特性的结合，使其特别适用于对效率有严苛要求的开关电源和功率转换应用。器件采用TO-220AB封装，最大耗散功率100W，工作结温范围达-55°C至150°C，确保了在复杂环境下的可靠运行。