STP20N65M5

STP20N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡，其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的特定导通电阻（Rds(on) * Area），从而在650V的高压等级下实现了优异的传导效率。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在高压开关应用中表现出色。其漏源击穿电压（Vdss）高达650V，为应对工业环境中的电压尖峰和浪涌提供了充足的裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）和9A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为190毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在45nC，配合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升系统在高频工作下的整体效率。对于需要可靠供应的客户，可以通过ST授权代理获取正品器件与技术支持。

在封装与可靠性层面，STP20N65M5采用工业标准TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大结温（Tj）可达150°C，在安装散热器的条件下可实现高达130W的功率耗散。该器件支持±25V的栅源电压范围，提供了较强的驱动抗干扰能力。其工作温度范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

凭借650V/18A的额定参数和MDmesh V技术带来的性能优势，STP20N65M5非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式电源转换拓扑。其典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关管、照明系统的电子镇流器和LED驱动器，以及工业电机驱动、UPS（不间断电源）和电焊机等设备的功率级。它为设计工程师提供了一种在高压、大电流应用中优化效率与成本的可靠解决方案。

• 型号:STP20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP20N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220封装，核心额定参数为650V漏源电压和18A连续漏极电流，专为高效的高压开关应用而设计。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至190毫欧，有助于最小化传导损耗。同时，优化的栅极电荷（最大45nC）和电容特性确保了较低的开关损耗，有利于提升系统整体能效和频率性能。

该器件适用于开关电源、工业电机控制及照明驱动等领域，为设计人员提供了一个在高电压、大功率场景下兼顾性能与可靠性的选择。