STP14NK50ZFP

STP14NK50ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻（R_DS(on)）与高击穿电压（BV_DSS）之间的出色平衡。其内部架构旨在最大限度地减少寄生电容，特别是栅极电荷（Q_g）和反向恢复电荷（Q_rr），这对于提升开关速度、降低开关损耗至关重要，使其在高频开关应用中表现出色。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的电气性能组合。高达500V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和浪涌。在结温（T_C）条件下14A的连续漏极电流（I_D）承载能力，配合仅380mΩ（典型值，条件为V_GS=10V, I_D=6A）的低导通电阻，确保了在导通状态下具有极低的传导损耗，有助于提升系统整体能效。其栅极驱动设计友好，10V的驱动电压即可实现完全导通，且栅极阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，提供了良好的噪声免疫性。

在动态参数方面，最大92nC（V_GS=10V）的栅极总电荷（Q_g）处于同类产品的优秀水平，这意味着驱动电路所需的驱动电流更小，有助于简化栅极驱动设计并降低驱动损耗。输入电容（C_iss）等参数也经过优化，有利于实现更快的开关瞬态。器件采用TO-220FP绝缘封装，其金属背板与内部电气隔离，无需额外绝缘垫片即可直接安装在散热器上，简化了安装流程并改善了热传导效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为35W（T_C），保证了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

凭借上述特性，STP14NK50ZFP非常适用于对效率、功率密度和可靠性有较高要求的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器、UPS（不间断电源）和逆变器，以及电子镇流器和照明驱动。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减少散热需求，并凭借其稳健性确保终端产品的长期稳定运行。

• 型号:STP14NK50ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP14NK50ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件设计用于高效功率开关，其核心参数包括500V的漏源电压（V_dss）和14A（T_c）的连续漏极电流，提供了强大的功率处理能力。

其关键优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至380mΩ，能显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_g，最大值92nC @ 10V）有助于实现快速开关并降低驱动需求。器件采用TO-220FP绝缘封装，支持宽工作结温范围（-55°C至150°C），适用于要求高可靠性和高能效的工业级应用。