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STP18N55M5
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STP18N55M5技术资料
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STP18N55M5
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
ST(意法半导体)
功能简述：
MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB
原厂封装：
TO-220AB
优势价格，STP18N55M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STP18N55M5的技术资料下载
STP18N55M5的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号：STP18N55M5
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：MDmesh? V
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：550V
25°C时电流-连续漏极(Id)：16A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：192 毫欧 @ 8A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：31nC @ 10V
Vgs（最大值）：±25V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1260pF @ 100V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：110W（Tc）
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：TO-220AB
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