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STP25N10F7
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STP25N10F7技术资料
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STP25N10F7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 25A TO220
原厂封装:
TO-220
优势价格,STP25N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STP25N10F7的技术资料下载
STP25N10F7的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STP25N10F7
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:MOSFET N-CH 100V 25A TO220
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:DeepGATE?, STripFET? VII
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
25°C时电流-连续漏极(Id):25A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):35 毫欧 @ 12.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):14nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):920pF @ 50V
FET功能:-
功率耗散(最大值):50W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:TO-220
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