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    STP50N65DM6的图片

    STP50N65DM6

    ST图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：ST(意法半导体)
    功能简述：MOSFET N-CH 650V 33A TO220
    原厂封装：TO-220
    优势价格，STP50N65DM6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    STP50N65DM6的技术资料下载
    电话询问价格
    STP50N65DM6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STP50N65DM6
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 33A TO220
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：MDmesh?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：33A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：91 毫欧 @ 16.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：52.5nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2300pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220
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