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STS2DNF30L
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STS2DNF30L技术资料
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STS2DNF30L
场效应管阵列
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC
原厂封装：
8-SO
优势价格，STS2DNF30L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STS2DNF30L的技术资料下载
STS2DNF30L的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号：STS2DNF30L
制造厂家名称：STMicroelectronics
描述：MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC
系列：STripFET?
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：121pF @ 25V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
ST公司封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
ST出厂封装：8-SO
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