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STS4DNFS30L技术资料
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STS4DNFS30L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
原厂封装:
8-SO
优势价格,STS4DNFS30L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STS4DNFS30L的技术资料下载
STS4DNFS30L的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STS4DNFS30L
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:STripFET?
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):4A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):9nC @ 5V
Vgs(最大值):±16V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):330pF @ 25V
FET功能:肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值):2W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:8-SO
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