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STS5DP3LLH6
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STS5DP3LLH6技术资料
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STS5DP3LLH6
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO
原厂封装:
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,STS5DP3LLH6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STS5DP3LLH6的技术资料下载
STS5DP3LLH6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STS5DP3LLH6
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:DeepGATE?, STripFET? H6
零件状态:停产
FET类型:2 个 P 沟道(双)
FET功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):5A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):56 毫欧 @ 2.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):6nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):639pF @ 25V
功率-最大值:2.7W
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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