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STS8C5H30L
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STS8C5H30L技术资料
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STS8C5H30L
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
原厂封装:
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,STS8C5H30L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STS8C5H30L的技术资料下载
STS8C5H30L的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STS8C5H30L
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:STripFET III
零件状态:不用於新
FET类型:N 和 P 沟道
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):8A,5.4A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):22 毫欧 @ 4A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):10nC @ 5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):857pF @ 25V
功率-最大值:2W
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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