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STS8C5H30L
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STS8C5H30L技术资料
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STS8C5H30L
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
ST(意法半导体)
功能简述：
MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
原厂封装：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
优势价格，STS8C5H30L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STS8C5H30L的技术资料下载
STS8C5H30L的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号：STS8C5H30L
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：STripFET? III
零件状态：不適用於新設計
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：30V
25°C时电流-连续漏极(Id)：8A，5.4A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 4A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 5V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：857pF @ 25V
功率-最大值：2W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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