STW13NK50Z

STW13NK50Z是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其标志性的SuperMESH产品系列。该器件采用成熟的平面MOSFET技术，通过优化的单元结构和制造工艺，在TO-247-3通孔封装内实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心设计旨在降低开关损耗和传导损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该器件具备500V的漏源击穿电压（Vdss），能够承受较高的关断电压应力，为离线式开关电源等应用提供了充足的电压裕量。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、6.5A电流条件下典型值为480毫欧，较低的Rds(on)直接减少了导通状态下的功率损耗。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为47nC，结合1600pF的输入电容（Ciss），意味着其所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并实现更快的开关速度，从而降低开关损耗。

在电气参数上，STW13NK50Z在壳温（Tc）条件下可支持11A的连续漏极电流，最大功耗达140W，展现了较强的电流处理与散热能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，而栅源电压（Vgs）可承受±30V的范围，提供了较宽的驱动安全区。该器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。用户可通过授权的ST代理商获取该产品的技术资料与库存信息。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，STW13NK50Z非常适用于需要高效功率处理的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、电机驱动控制、UPS（不间断电源）系统以及工业照明镇流器。其TO-247-3封装具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上，满足中高功率密度设计的需求。

• 制造商产品型号：STW13NK50Z
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SuperMESH
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：480 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：47nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1600pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：140W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247-3
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STW13NK50Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压（Vdss）与低至480毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，能够在高压应用中有效降低传导损耗。

此外，其最大栅极电荷（Qg）仅为47nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。该器件在壳温条件下支持11A连续电流，功耗高达140W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于对可靠性和性能要求较高的功率转换领域。