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SD1274

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:RF TRANS NPN 16V M135
原厂封装:封装:M135
优势价格,SD1274的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SD1274的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

SD1274是ST意法半导体推出的一款高性能射频功率晶体管,采用NPN双极结型晶体管(BJT)架构,专为要求高功率输出和稳定增益的射频应用而设计。其核心基于先进的硅基工艺,能够在高频段提供优异的线性度和效率,内部结构针对功率放大进行了优化,确保了在大电流工作条件下的可靠性和热稳定性。

该器件具备多项突出的功能特性。其最大集电极电流可达8A,支持高功率驱动能力;在5V电压、250mA集电极电流条件下,直流电流增益(hFE)最小值为20,提供了良好的电流放大基础。更关键的是,它在射频段能提供约10dB的功率增益,这对于提升发射链路的信号强度至关重要。同时,其集电极-发射极击穿电压最大值为16V,为电路设计提供了安全的电压裕度。其表面贴装型M135封装具有良好的散热特性和机械强度,适合自动化生产。

在接口与关键参数方面,SD1274的最大耗散功率达到70W,结合高达200°C的结温(TJ)工作能力,使其能够承受严苛的热环境,保障了系统在持续高功率输出下的长期稳定性。虽然其具体的跃迁频率和噪声系数参数未在标准规格中明确标注,但其10dB的增益和70W的功率处理能力已明确指向中高功率的射频放大应用。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的ST芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

基于其高功率、高增益和良好的热性能,SD1274非常适合应用于甚高频(VHF)及相近频段的射频功率放大场景。典型应用包括专业移动通信基站中的驱动级或末级功率放大、航空通信设备、以及某些特定频段的工业射频加热或激励源。其表面贴装形式也使其能够集成到紧凑的高密度射频模块中,满足现代通信设备对小型化和高功率密度的双重需求。

  • 型号:SD1274
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:M135
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 16V M135
  • 系列:-
  • 包装:盒
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):16V
  • 频率 - 跃迁:-
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):-
  • 增益:10dB
  • 功率 - 最大值:70W
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 250mA,5V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A
  • 工作温度:200°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:M135
  • 供应商器件封装:M135
  • 想获取SD1274的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SD1274是ST意法半导体生产的一款NPN射频功率晶体管,采用表面贴装M135封装。该器件核心优势在于其高功率处理能力,最大集电极电流为8A,最大耗散功率高达70W,并能在高达200°C的结温下稳定工作,确保了在高负载条件下的可靠性。

在电气性能上,它提供了约10dB的功率增益,并具有16V的集射极击穿电压,为射频放大电路提供了良好的增益基础和电压安全边际。其设计主要面向需要中高功率输出的射频放大应用,如专业通信设备等。

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