M24C08-DRMN8TP/K

M24C08-DRMN8TP/K是ST意法半导体推出的一款基于IC串行接口的8Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术构建其核心存储单元，内部架构集成了存储阵列、地址寄存器、数据缓冲器以及完整的IC协议控制器和高压生成电路。其非易失性特性确保在电源关闭后数据依然能够长期可靠保存，而1K x 8位的组织方式为系统设计提供了灵活的字节寻址能力。

该芯片的功能设计充分考虑了工业与汽车应用的严苛需求。其宽电压工作范围（1.8V至5.5V）使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的多种供电环境，显著提升了设计的通用性。高达1MHz的快速时钟频率配合450ns的访问时间，确保了数据读写的效率。在数据写入方面，芯片支持字节写入和页写入模式，页写周期典型值为4ms，内部集成的写保护机制和确认轮询功能则进一步保障了数据操作的完整性与安全性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关技术支持。

在接口与电气参数层面，M24C08-DRMN8TP/K严格遵循标准的IC总线协议，通过SDA（串行数据）和SCL（串行时钟）两根线与主控制器通信，并支持最多四个通过硬件地址引脚选择的器件同时挂载在同一总线上。其工作温度范围覆盖-40°C至105°C，并且符合AEC-Q100标准，这直接满足了汽车电子对元器件高可靠性的强制要求。芯片采用8引脚SOIC封装，适合表面贴装工艺，其卷带（TR）和剪切带（CT）的包装形式也适配自动化生产线的高效贴装需求。

凭借其稳健的性能和认证资质，这款EEPROM非常适合应用于需要可靠参数存储、配置信息保存或事件记录功能的场景。典型应用包括汽车电子中的车身控制模块、仪表盘、传感器校准数据存储，以及工业领域的PLC、智能电表、医疗设备及各种消费电子产品。其非易失、可反复擦写、接口简单和可靠性高的特点，使其成为众多嵌入式系统中不可或缺的数据存储解决方案。

• 型号:M24C08-DRMN8TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:8Kb
• 存储器组织:1K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24C08-DRMN8TP/K是STMicroelectronics生产的一款8Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口，时钟频率最高可达1MHz，并提供450ns的快速访问时间，支持高效的数据读写操作。其宽泛的1.8V至5.5V供电电压范围，使其具备出色的电源兼容性。

作为符合AEC-Q100标准的汽车级产品，该芯片可在-40°C至105°C的严苛温度范围内稳定工作，满足汽车电子应用的高可靠性要求。其4ms的典型写周期时间、字节与页写模式以及内置的数据写保护功能，共同确保了数据存储的可靠性与完整性。器件采用8-SOIC封装，提供卷带和剪切带包装，便于自动化表面贴装生产。