STB24N60M6

STB24N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，其核心在于实现了极低的单位面积导通电阻（RDS(on)）与出色的开关性能之间的平衡。通过创新的单元布局和沟槽栅极技术，该芯片在维持高阻断电压能力的同时，显著降低了导通损耗和栅极电荷，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。

该MOSFET的突出特性包括高达600V的漏源击穿电压（V_DSS）和17A的连续漏极电流（I_D）能力，使其能够承受严苛的功率环境。其MDmesh M6技术的核心优势在于极低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这直接转化为更快的开关速度和更低的开关损耗，特别是在硬开关和软开关拓扑中表现优异。此外，其优异的dv/dt鲁棒性和体二极管反向恢复特性，增强了系统在瞬态条件下的可靠性，减少了电磁干扰（EMI）问题。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产装配。其电气参数经过精心优化，旨在降低从轻载到满载范围内的总能量损耗。对于需要可靠元器件供应的设计者，可以通过授权的ST代理商获取完整的技术资料、样品及批量供应支持，确保产品设计的可制造性和供应链稳定性。

STB24N60M6主要面向高效率、高功率密度的开关电源（SMPS）应用，是功率因数校正（PFC）、LLC谐振转换器、电机驱动逆变器以及工业照明镇流器等设计的理想选择。其优异的性能使其在服务器电源、通信基础设施、新能源逆变器和高端消费类电子产品的电源模块中能够有效提升能效等级，帮助系统满足日益严格的能源法规要求，同时缩小解决方案的尺寸并降低系统总成本。

• 型号:STB24N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB24N60M6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB24N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和17A连续漏极电流（Id），专为高耐压、大电流的开关应用而设计。

其技术核心在于MDmesh M6平台，该平台通过优化单元结构，在保证高阻断电压的同时，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。这一特性组合直接转化为更低的导通损耗与开关损耗，显著提升电源转换效率，并支持更高频率的开关操作，有助于减小外围磁性元件的尺寸和重量。