STB5NK50ZT4

STB5NK50ZT4是ST意法半导体基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟道结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在有效控制电荷载流子的迁移，从而在高压开关应用中减少传导损耗和开关损耗，提升整体能效。

该器件具备500V的漏源击穿电压（Vdss），为其在离线电源等高压环境中稳定工作提供了坚实基础。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4.4A，能够处理可观的功率等级。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、2.2A漏极电流条件下典型值较低，最大值仅为1.5欧姆，这意味着在导通状态下产生的热量更少，有助于简化散热设计。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在28nC（@10V），结合535pF的输入电容（Ciss），表明其具有较快的开关速度和较低的驱动需求，有利于提升开关频率并降低驱动电路的复杂性。

在电气接口与参数方面，STB5NK50ZT4的栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力。器件采用表面贴装型D2PAK封装，这种封装具有优良的散热性能和机械强度，其最大功率耗散能力在壳温条件下可达70W。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要此型号进行设计或备货的工程师，可以通过授权的ST代理商获取详细的技术支持与供应链服务。

得益于其高压、低导通电阻和快速开关的特性，该MOSFET非常适合应用于需要高效功率转换和管理的领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动控制中的高压开关部分。其稳健的设计使其成为工业控制、消费电子电源适配器和LED驱动等中高功率密度设计中可靠的功率开关解决方案。

• 型号:STB5NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB5NK50ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格为500V漏源电压和4.4A连续漏极电流，为高压应用提供了坚实的电气基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻最大值仅为1.5欧姆，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（28nC @10V）和输入电容有利于实现高效的开关操作，提升电源系统的整体频率和能效。这些特性使其成为离线式开关电源、功率因数校正及照明驱动等高压功率转换场景中的理想选择。