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STY100NM60N
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STY100NM60N技术资料
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STY100NM60N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
MOSFET N CH 600V 98A MAX247
原厂封装:
MAX247?
优势价格,STY100NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STY100NM60N的技术资料下载
STY100NM60N的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STY100NM60N
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:MOSFET N CH 600V 98A MAX247
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:MDmesh? II
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600V
25°C时电流-连续漏极(Id):98A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):29 毫欧 @ 49A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):330nC @ 10V
Vgs(最大值):25V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):9600pF @ 50V
FET功能:-
功率耗散(最大值):625W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:MAX247?
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