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VNS14NV0413TR的图片

VNS14NV0413TR

ST图标
电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
原厂封装:供应商器件封装:8-SO
优势价格,VNS14NV0413TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNS14NV0413TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VNS14NV0413TR是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的OMNIFET II系列高边智能功率开关,隶属于其标志性的VIPower技术平台。该器件采用先进的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺,将功率级、控制逻辑和保护电路高度集成于单片硅芯片之上。这种架构的核心是一个N沟道垂直功率MOSFET,其栅极由内置的电荷泵电路驱动,从而实现了使用标准逻辑电平信号直接控制高边负载的能力,无需外部自举电路或额外的电源,简化了系统设计。

作为一款高边驱动器,其显著的功能特点是具备全面的内置保护机制。器件集成了固定阈值的限流保护,当输出电流超过预设值时,会限制电流以保护开关和负载。同时,它具备过温关断功能,当结温超过安全阈值时自动关闭输出,并在温度恢复正常后自动重启。此外,芯片还集成了过压钳位和ESD保护,增强了在恶劣电气环境下的鲁棒性。其极低的导通电阻(典型值35毫欧)确保了在高达12A的连续输出电流下,仍能保持极低的传导损耗和温升,提升了整体能效。

在接口与参数方面,VNS14NV0413TR设计简洁高效。它采用标准的开/关非反相逻辑接口,输入引脚兼容CMOS和TTL电平,可直接由微控制器或逻辑电路驱动。器件工作电压范围宽,负载端最高可承受36V电压,使其适用于12V或24V汽车及工业总线系统。其工作温度范围覆盖-40°C至150°C(结温),满足严苛环境的应用需求。该芯片采用表面贴装的8-SO封装,便于自动化生产。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取相关产品信息与库存支持。

得益于其高集成度、强保护能力和高可靠性,VNS14NV0413TR非常适合应用于需要直接由逻辑信号控制电源通断的场合。典型应用包括汽车领域的车身控制模块(如驱动座椅加热器、车窗升降电机、灯具)、继电器或电磁阀驱动,以及工业自动化中的PLC输出模块、电机和螺线管控制。它能够有效替代传统的继电器加保险丝方案,提供更快的开关速度、更长的使用寿命和更智能的故障管理,是构建紧凑、高效、可靠电源分配系统的关键元件。

  • 制造商产品型号:VNS14NV0413TR
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
  • 产品系列:电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
  • 包装:剪切带(CT)
  • 系列:OMNIFET II, VIPower
  • 零件状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率-输入:输出:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压-负载:36V(最大)
  • 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要
  • 电流-输出(最大值):12A
  • 导通电阻(典型值):35 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 想获取VNS14NV0413TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNS14NV0413TR是ST意法半导体基于VIPower技术制造的一款单通道高边智能功率开关,属于OMNIFET II产品系列。该器件集成了一个N沟道功率MOSFET及其驱动控制电路,采用8-SO表面贴装封装,设计用于直接由逻辑信号控制负载电源的通断。

其核心参数表现突出,支持高达36V的负载电压和12A的连续输出电流,同时凭借仅35毫欧(典型值)的低导通电阻,显著降低了功率损耗。器件内置了全面的故障保护功能,包括固定阈值限流、过温关断和过压保护,确保了在汽车及工业等严苛环境下的高可靠性与安全性。其宽工作结温范围(-40°C至150°C)进一步强化了其在恶劣条件下的适用性。

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