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NAND512R3A2BZA6E的图片

NAND512R3A2BZA6E

存储器芯片

制造厂商：意法半导体(STMicroelectronics)

功能简述：IC FLASH 512MBIT 63VFBGA

原厂封装：63-VFBGA

优势价格，NAND512R3A2BZA6E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

NAND512R3A2BZA6E的技术资料下载

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NAND512R3A2BZA6E的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供

ST意法半导体标准完整型号：NAND512R3A2BZA6E

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：IC FLASH 512MBIT 63VFBGA

系列：-

格式 - 存储器：闪存

存储器类型：闪存 - NAND

存储容量：512M（64M x 8）

速度：-

接口：并联

电压 - 电源：1.7 V ~ 1.95 V

工作温度：-40°C ~ 85°C

ST公司封装：63-VFBGA

ST出厂封装：63-VFBGA（8.5x15）

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