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NAND512R3A2BZA6E
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NAND512R3A2BZA6E价格
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NAND512R3A2BZA6E技术资料
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NAND512R3A2BZA6E
存储器芯片
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
IC FLASH 512MBIT 63VFBGA
原厂封装:
63-VFBGA
优势价格,NAND512R3A2BZA6E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NAND512R3A2BZA6E的技术资料下载
NAND512R3A2BZA6E的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:NAND512R3A2BZA6E
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA
系列:-
格式 - 存储器:闪存
存储器类型:闪存 - NAND
存储容量:512M(64M x 8)
速度:-
接口:并联
电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V
工作温度:-40°C ~ 85°C
ST公司封装:63-VFBGA
ST出厂封装:63-VFBGA(8.5x15)
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