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    NAND512R3A2BZA6E的图片

    NAND512R3A2BZA6E

    ST图标
    存储器
    制造厂商：ST(意法半导体)
    功能简述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
    原厂封装：63-VFBGA
    优势价格，NAND512R3A2BZA6E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    NAND512R3A2BZA6E的技术资料下载
    电话询问价格
    NAND512R3A2BZA6E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：NAND512R3A2BZA6E
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：托盘
  • 系列：-
  • 零件状态：停产
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：闪存
  • 技术：闪存 - NAND
  • 存储容量：512Mb（64M x 8）
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：-
  • 写周期时间-字，页：60ns
  • 访问时间：60ns
  • 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：63-VFBGA
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