NAND512R3A2BZA6E

NAND512R3A2BZA6E是ST意法半导体推出的一款采用NAND闪存技术的非易失性存储器芯片。该器件采用先进的浮栅晶体管存储单元架构，通过并联接口实现高速数据存取，其核心存储阵列组织为64M字×8位的结构，总容量达到512Mb，能够为嵌入式系统提供可靠的大容量数据存储解决方案。

该芯片在功能设计上具备显著特点，其60ns的快速页写入和访问时间确保了高效的数据吞吐能力，尤其适合需要频繁进行数据记录或更新的应用场景。器件支持1.7V至1.95V的宽范围单电压供电，兼容主流的低功耗系统设计，同时其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，保证了在严苛工业环境下的稳定性和可靠性。作为一款已停产的产品，其在生命周期内以其稳定的性能获得了市场的验证，用户可通过正规的ST代理渠道获取库存或替代方案咨询。

在接口与电气参数方面，NAND512R3A2BZA6E采用并行接口，简化了与微控制器或处理器的连接设计。其表面贴装的63-VFBGA封装形式，具有紧凑的物理尺寸，有助于节省PCB空间，满足现代电子设备小型化的需求。该芯片的典型页编程和块擦除操作均经过优化，在保证数据完整性的前提下，提供了均衡的读写性能与耐久性指标。

在应用层面，这款芯片主要面向需要中等容量、可靠非易失存储的嵌入式领域。其典型应用场景包括工业控制设备的数据日志记录、网络通信设备的配置信息存储、消费电子产品的固件或媒体数据存储，以及各类需要断电数据保存的便携式仪器仪表。其稳定的性能和宽温特性使其成为对长期数据保存有严格要求应用的合适选择之一。

• 型号:NAND512R3A2BZA6E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:63-VFBGA（8.5x15）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:60ns
• 访问时间:60 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（8.5x15）
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NAND512R3A2BZA6E是ST意法半导体生产的一款512Mb容量NAND闪存芯片，采用64M x 8位的存储结构。该器件提供60ns的快速页写入和访问时间，并支持1.7V至1.95V的单电压供电，具备高效的数据吞吐能力和低功耗特性。

其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，采用63-VFBGA表面贴装封装，确保了在宽温环境和紧凑空间设计中的可靠性。该并行接口闪存适用于需要可靠非易失数据存储的各种嵌入式系统应用。