1N5711

1N5711是一款由ST意法半导体（STMicroelectronics）设计制造的肖特基势垒二极管，采用经典的DO-35轴向玻璃封装（DO-204AH）。其核心架构基于金属-半导体结原理，相较于传统的PN结二极管，肖特基结构在正向导通时具有更低的阈值电压和更快的开关速度，这使其在射频与高速开关领域展现出显著优势。该器件内部采用单芯片结构，确保了电气性能的一致性与可靠性，其结电容经过优化设计，是实现高频性能的关键。

该二极管的功能特点突出体现在其高频低损耗特性上。在0V偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值仅为2pF，极低的寄生电容有效减少了信号在高频下的损耗与畸变，这对于维持射频信号的完整性至关重要。同时，其峰值反向电压（VRRM）达到70V，最大正向连续电流为15mA，最大功耗为430mW，这些参数为其在中小功率应用场景中提供了稳定的工作边界。其工作结温范围宽达-65°C至200°C，保证了在苛刻环境下的稳定运行，用户可通过ST授权代理获取原厂正品，确保设计方案的长期可靠性。

在接口与参数方面，1N5711作为两端子器件，其接口简单，便于在电路中集成。轴向引线封装形式使其适用于通孔安装（THT）工艺。其关键直流参数包括低正向压降和极低的反向恢复时间，这使其在从直流到甚高频（VHF）乃至更高频段都能保持高效性能。交流参数中，除了前述的低结电容，其在高频下的等效串联电阻（ESR）也维持在较低水平，共同构成了优异的高频响应特性。

基于上述技术特性，1N5711广泛应用于需要快速开关和低损耗的射频电路。典型应用场景包括甚高频（VHF）及超高频（UHF）频段的信号检波与混频、高速开关电路中的钳位与保护、仪器仪表中的峰值检测以及低功耗电源中的整流环节。其优异的性能使其成为通信设备、测试测量仪器及各类便携式电子设备中射频前端和信号处理部分的关键元件之一。

• 型号:1N5711
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V 430MW DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:70V
• 电流 - 最大值:15 mA
• 不同Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:-
• 功率耗散（最大值）:430 mW
• 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 想获取1N5711的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

1N5711是ST意法半导体推出的一款高性能肖特基二极管，专为射频（RF）与高速应用而优化。其核心优势在于极低的结电容（典型值2pF @ 0V, 1MHz）和快速的开关特性，能够最大限度地减少高频信号损耗，确保信号完整性。

该器件提供70V的峰值反向电压和15mA的最大正向电流，额定功耗为430mW，采用标准的DO-35轴向玻璃封装，工作结温范围覆盖-65°C至200°C。这些参数共同定义了其在中小功率、宽温范围下的可靠工作能力，使其成为VHF/UHF检波、混频、高速开关及钳位电路的理想选择。