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VNV35N07

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
原厂封装:封装:10-PowerSO
优势价格,VNV35N07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNV35N07的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体(STMicroelectronics)旗下OMNIFET与VIPower系列的代表性产品之一,VNV35N07是一款集成了先进智能保护功能的单通道N沟道功率开关。该芯片采用低端输出配置,专为高边负载开关应用而设计,其核心架构将功率MOSFET、驱动电路及全面的保护逻辑单元高度集成于一个紧凑的封装内,实现了系统设计的简化和可靠性的显著提升。

该器件最突出的功能特点是其卓越的驱动能力与极低的功率损耗。它能够直接由逻辑电平信号控制,实现高达25A的持续负载电流通断,而其导通电阻典型值低至28毫欧,这确保了在承载大电流时,芯片自身的功耗和温升被控制在极低水平,从而提升了整体能效。其内置的非反相输入接口简化了与微控制器等数字信号源的连接,用户仅需一个简单的开/关信号即可实现精准的功率路径管理,无需复杂的外围驱动电路。

在电气参数方面,VNV35N07支持最大55V的负载电压,为各种工业级应用提供了充足的电压裕量。尤为关键的是,芯片集成了多重固化的故障保护机制,包括固定阈值限流保护过温关断以及过压保护。这些保护功能在检测到异常工况时会自动触发,将输出关断以保护后级负载和开关自身,极大地增强了系统的鲁棒性和安全性。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取相关产品信息与设计资源。

凭借其高集成度、大电流处理能力和内置保护特性,这款采用10-PowerSO表面贴装封装的芯片非常适用于要求苛刻的汽车电子与工业控制领域。其典型应用场景包括驱动继电器、螺线管、小型电机等感性或阻性负载,也可用作电源分配系统中的智能开关,为ECU(电子控制单元)、车身控制模块以及工业自动化设备中的执行机构提供高效、可靠的功率控制解决方案。

  • 型号:VNV35N07
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:10-PowerSO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:55V(最大)
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):25A
  • 导通电阻(典型值):28 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:10-PowerSO
  • 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 想获取VNV35N07的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNV35N07是ST意法半导体推出的一款高性能单通道低端智能功率开关,隶属于OMNIFET和VIPower产品系列。该器件集成了一个N沟道功率MOSFET及其驱动电路,采用非反相逻辑输入控制,可直接由微处理器驱动,实现高达25A负载电流的精准通断管理。

其核心优势在于极低的导通电阻(典型值28mΩ)和高达55V的负载电压承受能力,这有效降低了导通损耗并拓宽了应用电压范围。芯片内部集成了固化的多重故障保护功能,包括限流、过温和过压保护,确保了在恶劣电气环境下的高系统可靠性。该产品采用10-PowerSO表面贴装封装,适用于需要紧凑设计和强大驱动能力的汽车及工业负载开关应用。

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