STD17NF25

STD17NF25是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在实现高功率密度与高效率的平衡。其核心架构优化了单元密度和沟道电阻，在保证高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这对于减少开关和传导损耗至关重要。

该MOSFET具备250V的漏源击穿电压（V_DSS）和17A的连续漏极电流（I_D）承载能力，展现了出色的功率处理性能。其导通电阻在10V栅极驱动电压、8.5A漏极电流条件下典型值仅为165毫欧，确保了在导通状态下极低的功率损耗。同时，29.5nC的低栅极电荷（Q_g）与1000pF的输入电容（C_iss）特性，使得开关速度更快，驱动要求更简单，有助于提升系统整体开关频率和效率，并降低驱动电路的设计复杂度。

在电气参数方面，该器件栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了宽裕的安全工作范围。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，具有良好的噪声抑制能力。该MOSFET采用标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装，在管壳温度（T_C）下最大功耗可达90W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠性与稳定性。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高电压、大电流和低损耗的特性，STD17NF25非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制、DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）系统等。它是工程师在设计中等功率离线式或直流电源方案时，追求性能与成本优化的理想选择。

• 型号:STD17NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD17NF25的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD17NF25是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用DPAK封装，核心规格为250V漏源电压（V_DSS）和17A连续漏极电流（I_D），提供了坚实的功率处理基础。

其关键优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至165毫欧（典型值），能有效降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（29.5nC）和输入电容有助于实现快速开关，提升系统效率并简化驱动设计。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等高效能功率转换应用的可靠解决方案。