STP75N75F4

STP75N75F4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的功率MOSFET技术平台开发的一款N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用了STripFET和DeepGATE专利技术，这些技术通过优化单元结构和沟槽栅极设计，在相同的芯片面积内实现了更低的导通电阻和更优的开关性能。其核心架构旨在平衡导通损耗、开关损耗与栅极驱动需求，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，典型导通电阻（R_DS(on)）低至11毫欧（在39A条件下），这一特性直接转化为极低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。其连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下可达78A，展现了强大的电流处理能力。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值为76nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，从而允许使用更小的磁性元件。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数方面，STP75N75F4的漏源击穿电压（V_DSS）为75V，适用于常见的48V及以下总线电压应用。其最大功耗为150W（T_C），工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了器件在苛刻环境下的可靠运行。该器件采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，便于安装在散热器上以管理热耗散。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关服务与库存信息。

凭借其优异的性能组合，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制、不间断电源（UPS）以及各类工业级功率开关电路。其高电流能力和低导通电阻特性，使其成为中大功率负载开关和逆变器设计的理想选择之一。

• 型号:STP75N75F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 78A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):78A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 39A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5015 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP75N75F4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于结合了STripFET和DeepGATE技术，实现了低至11毫欧的导通电阻（@10V V_GS, 39A），能够显著降低导通状态下的功率损耗。

该器件具备75V的漏源电压和高达78A的连续漏极电流处理能力，适用于中高功率应用。其栅极电荷（Q_g）为76nC，有助于实现高效的开关操作并优化驱动设计。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和150W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。