1N5817

1N5817是ST意法半导体推出的一款采用肖特基势垒技术构建的轴向引线整流二极管。其核心架构基于金属-半导体结原理，相较于传统PN结二极管，肖特基结构利用多数载流子导电，从根本上消除了少数载流子的存储效应。这一物理特性是实现其优异性能的基础，使其在正向导通和开关响应方面表现突出，成为高效率电源和快速开关电路中的关键元件。

该器件在功能上具备显著优势。其正向压降极低，典型值仅为450mV（在1A条件下），这能有效减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。同时，得益于肖特基结构，它具备快速开关能力，恢复时间极短，通常快于500纳秒，尤其适合在高频开关电路中工作，能有效降低开关噪声和损耗。其反向耐压为20V，平均整流电流为1A，反向漏电流在额定电压下控制在500A水平，在性能与成本间取得了良好平衡。

在接口与参数方面，1N5817采用经典的DO-41（DO-204AL）轴向封装，这是一种通孔安装形式，具有良好的机械强度和成熟的焊接工艺兼容性，便于在各类PCB板上进行可靠安装。其电气参数明确，正向特性、反向耐压及漏电流等关键指标均针对通用型开关电源、极性保护和续流应用进行了优化设计。用户可以通过官方渠道或授权的ST代理获取完整的数据手册和设计支持。

该二极管广泛应用于需要高效率、低损耗和快速响应的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流、DC-DC转换器、低压差线性稳压器（LDO）的输入保护、以及作为感性负载（如继电器、电机）的续流二极管。其低正向压降特性使其在电池供电设备或任何对能效有严格要求的系统中极具价值，是工程师设计紧凑、高效电源解决方案时的常用选择。

• 型号:1N5817
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-41
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:停产
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:20 V
• 电流 - 平均整流 (Io):1A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 A @ 20 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向
• 供应商器件封装:DO-41
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
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1N5817是ST意法半导体生产的一款1A、20V肖特基整流二极管，采用DO-41轴向封装。其核心优势在于极低的正向导通压降（典型值450mV @ 1A）和快速的开关速度（恢复时间<500ns），能显著降低功率损耗并提升高频电路的效率。

该器件适用于平均整流电流1A的应用，反向漏电流在20V时为500A。这些参数使其成为开关电源输出整流、DC-DC转换、极性保护及续流等应用的理想选择，在要求高能效和快速响应的设计中提供可靠的性能。