1N5821

1N5821是ST意法半导体推出的一款采用肖特基势垒技术的轴向引线整流二极管。该器件基于金属-半导体结原理构建，其核心在于利用金属与半导体材料接触形成的势垒来实现单向导电特性，这种结构从根本上决定了其低正向压降和快速开关的物理基础。相较于传统PN结整流管，肖特基架构避免了少数载流子的存储效应，从而在反向恢复特性上具有显著优势。

该二极管在正向导通时表现出色，在达到额定3A平均整流电流时，其正向压降典型值仅为500mV。这一低正向压降特性直接转化为更高的效率和更低的导通损耗，尤其在低电压、大电流的应用中优势明显。同时，其被定义为快速恢复类型，恢复时间短于500纳秒（测试条件为>200mA），这使其能够胜任频率较高的开关场景，减少开关过程中的损耗和噪声。其反向重复峰值电压为30V，反向漏电流在30V反向电压下典型值为2mA，提供了可靠的阻断能力。

在物理接口与参数方面，1N5821采用经典的DO-201AD轴向封装，这是一种通孔安装形式，具有良好的机械强度和散热特性，便于在传统PCB板上进行安装和焊接。其电气参数组合3A的电流处理能力、30V的电压等级、以及快速恢复与低Vf特性定义了一个非常实用的性能区间。对于需要采购此类已停产但仍广泛应用于存量设计或特定维修场景的工程师，可以通过专业的ST芯片代理渠道获取可靠的货源。

基于其性能特点，该器件非常适合应用于直流电源的低压输出整流、开关电源的续流二极管、极性保护电路以及高频逆变器等场合。例如，在DC-DC转换器中作为输出整流器，其低导通压降有助于提升整体转换效率；在继电器或电感负载的续流回路中，其快速恢复特性可以有效地抑制电压尖峰，保护敏感的控制电路。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有的工业设备、电源模块及消费电子产品的维护和仿制设计中，它仍然是一个经典且经过验证的选择。

• 型号:1N5821
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-201AD
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:30 V
• 电流 - 平均整流 (Io):3A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 mA @ 30 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-201AD，轴向
• 供应商器件封装:DO-201AD
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
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1N5821是ST意法半导体生产的一款肖特基整流二极管，采用DO-201AD轴向封装。其核心电气特性包括30V的最大反向电压和3A的平均整流电流能力，在3A电流下的正向压降仅为500mV，实现了高效的电能转换。

作为一款快速恢复型肖特基二极管，其恢复时间短于500ns，适用于要求快速开关的电路环境。该器件结合了低导通损耗与快速开关速度，是开关电源输出整流、续流及低压大电流整流应用的经典解决方案。