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2N1711

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 50V 0.5A TO-39
原厂封装:封装:TO-39
优势价格,2N1711的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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2N1711的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为一款经典的NPN型双极性晶体管,2N1711采用金属TO-39封装,其核心架构基于成熟的合金结工艺,确保了器件在宽温范围内的稳定性和可靠性。该晶体管设计用于处理中等功率的信号放大与开关应用,其结构优化了载流子的传输效率,使得在指定的工作点上能够提供一致的性能表现。

在电气特性方面,该器件具备50V的集电极-发射极击穿电压500mA的最大集电极电流能力,这使其能够胜任多种电路中的驱动与放大角色。其饱和压降在典型工作条件下(15mA基极电流,150mA集电极电流)被控制在1.5V以下,有助于降低开关应用中的导通损耗。同时,高达100MHz的跃迁频率使其能够处理中频信号,适用于音频放大和射频前级等场景。用户可通过ST授权代理获取关于此器件的完整技术资料与历史应用支持。

器件的直流电流增益(hFE)在100mA集电极电流和10V集电极-发射极电压条件下,最小值为35,这为电路设计提供了基本的放大倍数保证。其集电极截止电流(ICBO)最大仅为10nA,体现了良好的反向截止特性。该晶体管的最大功耗为800mW,结合高达175°C的结温工作能力,使其能够在要求较高的工业温度环境中稳定运行。TO-39金属罐封装不仅提供了优良的散热路径,也增强了器件的机械强度。

基于上述参数,2N1711的传统应用场景涵盖通用低频放大、开关控制、驱动电路以及稳压电源中的调整部分。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备和维护备件库中,它仍然是一个被广泛认知和使用的型号,其设计参数为后续器件的选型提供了重要的参考基准。

  • 型号:2N1711
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-39
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 50V 0.5A TO-39
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 15mA,150mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):35 @ 100mA,10V
  • 功率 - 最大值:800 mW
  • 频率 - 跃迁:100MHz
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐
  • 供应商器件封装:TO-39
  • 想获取2N1711的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2N1711是ST意法半导体生产的一款NPN双极性晶体管,采用TO-39金属罐封装。其核心电气参数包括50V的集电极-发射极击穿电压和500mA的最大集电极电流,适用于中等电流的放大与开关应用。

该器件在100mA集电极电流下提供最小35倍的直流电流增益,饱和压降典型值为1.5V,有助于提高开关效率。其100MHz的跃迁频率支持中频信号处理,而800mW的最大功耗和175°C的最高结温确保了其在宽温范围内的可靠性。这些特性使其在通用放大、驱动及控制电路中曾得到广泛应用。

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