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2N2102

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 65V 1A TO-39
原厂封装:封装:TO-39
优势价格,2N2102的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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2N2102的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为一款经典的NPN型双极性晶体管,2N2102采用了成熟的合金结工艺,其核心架构基于硅材料,确保了在宽温范围内的稳定性和可靠性。该器件设计用于通用放大和开关应用,其金属TO-39封装不仅提供了优良的机械强度和热传导性能,也便于在需要高可靠性的通孔安装场景中使用。

在电气特性方面,该晶体管具备65V的集电极-发射极击穿电压1A的连续集电极电流能力,使其能够应对中等功率水平的电路需求。其饱和压降在典型工作条件下表现良好,例如在150mA集电极电流和15mA基极电流时,Vce(sat)最大值仅为500mV,这有助于降低开关应用中的导通损耗,提升整体效率。直流电流增益(hFE)在150mA、10V条件下最小值为40,提供了适中的电流放大能力,工程师可以通过外部电路轻松配置所需的增益水平。

器件的接口参数清晰定义了其工作边界。集电极截止电流(ICBO)最大值低至2nA,表明了其优良的关断特性。最大功耗为1W,结合高达175°C的结温(TJ),赋予了它一定的功率处理余量和在恶劣热环境下的工作潜力。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理获取关于此型号的库存、替代方案或历史技术资料。

尽管该产品目前已处于停产状态,但其经典的设计和参数使其在诸多传统或对成本敏感的应用中仍有参考价值。典型的应用场景包括音频功率放大器的驱动级、线性稳压电源中的调整管、继电器或小功率电机的驱动开关电路,以及各种通用电子设备中的信号放大模块。其坚固的金属封装也使其适用于一些对机械振动或散热有特定要求的工业环境。

  • 型号:2N2102
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-39
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 65V 1A TO-39
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):65 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 15mA,150mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):2nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大值:1 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐
  • 供应商器件封装:TO-39
  • 想获取2N2102的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2N2102是ST意法半导体生产的一款NPN双极性晶体管,采用TO-39金属罐封装。其核心电气参数包括65V的集电极-发射极击穿电压和1A的最大集电极电流,适用于中压、中电流的通用放大与开关电路。

该器件在150mA集电极电流下的最小直流电流增益(hFE)为40,并具有低至500mV的饱和压降,这有助于在开关应用中实现较低的导通损耗。其结温最高可达175°C,最大功耗为1W,展现了良好的热性能和功率处理能力。尽管产品状态为停产,但其参数组合在传统的线性电源、音频放大及驱动电路中仍具代表性。

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