TN1215-800G-TR

TN1215-800G-TR是ST意法半导体推出的一款标准恢复型晶闸管（SCR），采用表面贴装型DPak封装，为高功率密度和高效散热的工业及消费类应用提供了紧凑而可靠的解决方案。该器件基于成熟的平面钝化工艺制造，确保了在-40°C至125°C的宽工作温度范围内稳定的电气性能。

该芯片的核心架构旨在实现高电压阻断与低导通损耗的平衡。其800V的断态重复峰值电压（V_DRM）使其能够从容应对工业电网中的电压波动和瞬态冲击，为后级电路提供可靠的保护。同时，最大仅1.6V的通态压降（V_TM）意味着在高达12A（RMS）的额定通态电流下，器件自身的功率损耗被控制在较低水平，有助于提升系统整体效率并简化散热设计。其栅极触发特性也经过优化，最大触发电压（V_GT）为1.3V，触发电流（I_GT）为15mA，这使其能够被广泛的标准驱动电路轻松、可靠地控制。

在接口与关键参数方面，TN1215-800G-TR展现了出色的鲁棒性。其非重复浪涌电流（I_TSM）在50Hz和60Hz下分别高达140A和145A，赋予了其强大的抗过载和短路能力，这对于电机启动、浪涌抑制等存在大电流冲击的应用场景至关重要。极低的断态漏电流（最大5A）确保了在关断状态下的高阻抗，减少了静态功耗。该器件采用TO-263-3（DPak）封装，这种封装形式具有优异的导热性能，其金属接片可直接焊接在PCB的铜箔区域，作为有效的散热途径，非常适合由ST芯片代理所服务的、对空间和热管理有严格要求的自动化生产线。

基于上述特性，TN1215-800G-TR非常适用于需要高可靠性交流功率控制的领域。其典型应用包括工业交流电机驱动与软启动器、固态继电器（SSR）、不间断电源（UPS）中的交流切换电路、以及照明和加热设备的功率调节模块。在这些场景中，其高电压能力、强大的浪涌承受力和表面贴装的便利性，共同构成了一个坚固、高效且易于集成的功率开关解决方案。

• 型号:TN1215-800G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > SCR
• 描述:SCR 800V 12A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 断态:800 V
• 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1.3 V
• 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:15 mA
• 电压 - 通态 (Vtm)（最大值）:1.6 V
• 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）:8 A
• 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:12 A
• 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:30 mA
• 电流 - 断态（最大值）:5 A
• 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):140A，145A
• SCR 类型:标准恢复型
• 工作温度:-40°C ~ 125°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 想获取TN1215-800G-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TN1215-800G-TR是ST意法半导体生产的一款标准恢复型表面贴装晶闸管。该器件核心优势在于其800V的高断态电压与12A RMS/8A AV的通态电流能力的结合，为交流功率控制应用提供了坚实的电压阻断和电流承载基础。

其电气参数经过优化，具备低至1.3V/15mA的栅极触发要求，便于驱动；同时，最大1.6V的通态压降有助于降低导通损耗。采用TO-263-3（DPak）封装，兼具功率处理能力与优异的PCB散热性能，适用于工业控制、电源切换及电机驱动等对可靠性和空间有要求的领域。