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2N3700

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 80V 1A TO-18
原厂封装:封装:TO-18
优势价格,2N3700的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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2N3700的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

2N3700是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的NPN型双极性结型晶体管(BJT),采用经典的TO-18金属罐封装。其核心架构基于硅平面外延工艺,构建了一个具有高击穿电压和良好频率特性的三端器件。该晶体管由发射极、基极和集电极构成,通过控制基极电流来精确调节集电极与发射极之间的大电流通路,其内部结构优化了载流子的传输效率,确保了在宽泛的工作条件下稳定的电流放大能力。

该器件提供了高达80V的集电极-发射极击穿电压1A的连续集电极电流能力,使其能够耐受较高的负载电压并处理可观的电流。其饱和压降在典型工作条件下(如500mA集电极电流时)维持在较低水平,有助于减少开关状态下的功率损耗。直流电流增益(hFE)最小值在标准测试条件下达到100,保证了良好的信号放大线性度。此外,其跃迁频率达到100MHz,表明该器件适用于中频放大和开关应用,能够响应速度较快的信号变化。其结温工作范围覆盖-65°C至200°C,展现了出色的环境适应性,用户可通过ST授权代理获取关于该器件在极端温度下性能的详细技术资料。

在电气参数方面,2N3700的集电极截止电流极低,这有助于提升电路的静态功耗性能。其最大功耗额定值为500mW,设计时需结合散热条件进行考量。该器件采用通孔安装的TO-18(TO-206AA)封装,这种坚固的金属封装提供了良好的机械强度和散热特性,适合在需要可靠性的工业环境中使用。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的参数使其在特定领域和存量设备维护中仍具有参考和应用价值。

基于其电压、电流和频率特性,该晶体管传统上广泛应用于各类模拟和数字电路模块中。典型的应用场景包括中功率的线性放大器、音频放大前置级、中速开关电路(如继电器或指示灯驱动)、电源调整电路中的调整元件,以及电子设备中的通用信号放大和开关功能。其稳健的性能使其在工业控制、测试测量设备及一些消费电子产品的设计中曾占有一席之地。

  • 型号:2N3700
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-18
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 80V 1A TO-18
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 频率 - 跃迁:100MHz
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
  • 供应商器件封装:TO-18
  • 想获取2N3700的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2N3700是ST意法半导体推出的一款NPN双极性晶体管,采用TO-18金属罐封装。其核心特性包括高达80V的集电极-发射极击穿电压和1A的集电极电流容量,能够胜任中功率的开关与放大任务。

该器件在150mA, 10V条件下直流电流增益(hFE)最小值为100,确保了可靠的信号放大能力。其跃迁频率为100MHz,支持中频应用,而低至500mV的饱和压降有助于提升开关效率。器件结温工作范围宽广,从-65°C延伸至200°C,具备良好的环境适应性。

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